Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。 TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。

該器件已準備就緒，可將Transphorm的創新常關型氮化鎵平台應用於新一代汽車和三相電力系統。

這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統、以及已普遍用於工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益於1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優異的可靠性、同等或更優越的性能，以及更為合理的成本。

Transphorm近期已驗證了氮化鎵器件在100kHz開關頻率的5kW 900伏降壓轉換器中更高的性能。 1200伏氮化鎵器件實現了98.7%的效率，超過了具有類似額定值的量產SiC MOSFET。


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