900V，性能完胜Si，pk SiC MOSFET，這兩款Transphorm GaN FET能做到

Transphorm是目前市場上少有的能夠提供650伏以上GaN FET的供應商。早在2017年，Transphorm就向市場推出了其首款900伏氮化鎵功率管TP90H180PS，此款900伏172毫歐GaN FET採用TO-220封裝；

Transphorm新近又發布了第二款900伏氮化鎵器件TP90H050WS。這款新產品基於Transphorm第三代技術平台，採用TO-247封裝，導通電阻為50毫歐。

Transphorm的GaN FET器件均獲有JEDEC或AEC-Q101認證，所有器件的產品信息中均提供認證文件。

最新發布的這款900伏器件通過JEDEC認證，可使用至720伏電壓——即其額定峰值阻斷電壓900伏的80%。該器件的額定瞬態峰值高達一千伏，針對線上可能出現的零星瞬變乾擾，具有良好自我保護。

與Transphorm的650伏GaN FET器件一樣，900伏器件的最大柵極電壓也為±20V，具有更高抗噪能力的4V閾值電壓以及易驅動性，可以像矽基超結MOSFET器件那樣使用現成的柵極驅動器。

GaN FET技术在半桥配置中呈现出最佳性能，特别是采用无桥图腾柱功率因数校正。

上图表中对比了使用硬开关半桥的FOM指标。可以看到，半桥配置下GaN器件的FOM值提高了30%，即使是采用传统的单端拓扑，比如传统的硬开关CCM升压转换器，在FOM值非常接近的情况下，GaN的电子迁移率依然快2倍，开关交越损耗也更低。


完整文章：
https://mp.weixin.qq.com/s/dCVbu0oYnL-9_XcBJlzZGg